Intel 10nm 60核心下代至强开盖：四大一小整合封装

Intel估量会在今年底发布代号Sapphire Rapids的第四代可扩展至强，具有全新的10nm工艺、CPU架构、DDR5/PCIe 5.0原生支撑等等，容颜焕然一新。

稍早些时候，我们看过了网友曝光的Sapphire Rapids什物相片，面积巨大，更换新的LGA4677-X封装接口。

现在，该网友又对这颗S规划理念apphire Rapids样品进行了开盖，去掉了顶部的散热顶amd处理器功用排行盖，直接露出了内部封装规划：

Intel 10nm 60中心下代至强开盖：四大一小整合封装

能够看到，Sapphire Rapids CPU部分由技术支撑四个当心模块整合组成，互相紧密靠在一同，异常巨大，应该技术是运用的2.5D封装技术，也就是俗称的“胶水大法”。

当然，跟着半导体工艺的不断演进、芯片规划的不断扩大，多重封规划装、小芯片战略是必定之路，AMD的霄龙系列也是如此，只是在封装技术上多种多样而已。

另外，Sapphire Rapids CPU中心一侧还有一颗独立的小芯片(Die)，也就是内置的HBM高带宽内存，容量最大为64GB。

现在已知AMD的是，Sapphire Rapids产品最多供给56个中心(规划阐明112线程)，每个小芯片技术的拼音模块最多14个中心，但实际上这是阉割版，满血版每个小中心15中心，总计60中心，只不过因为10nm良率问题，每个小芯片屏蔽了一个中心。

事实上，Sapphire Rapids上运用的10nm工艺，已经是屡次增强后的10nm Enhanced Suamd处理器功用排行perFin，能够视为10nm+++，但依然无法一无是处。